比QLC闪存还渣FLC闪存行将浮出水面用户还能承受吗

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC，可以说一步步降低了本钱，提升了容量，这是它们得以遍及的要害。现在QLC闪存在这一年中开展迅猛，大有抢TLC风头的意味，而更渣的PLC闪存也在路上了。

所谓SLC、MLC、TLC、QLC及PLC，指的是闪存的类型，它们每个cell单元别离寄存1、2、3、4、5位电荷，所以容量渐渐的变大，可是价值便是写入速度越来越低，P/E寿数越来越渣，QLC的P/E次数宣扬上有1000次，实践大概是几百次，FLC年代弄不好要跌到100次内了。

从顾客视点来说，QLC闪存都很难承受，更别提再渣一等的PLC闪存，这寿数和速度看着不让人定心。

可是闪存厂商对PLC闪存的研讨早就开端了，跟着QLC闪存开展的第三、第四代，现在功能、容量、可靠性算是坚持住底线了，研制中的FLC闪存进入市场仅仅迟早的事。

从Intel之前的表态来看，他们早就规划好FLC闪存了，好消息是其3D PLC闪存将依旧据守运用浮栅型结构（Floating Gate），虽然当时3D闪存的干流结构是Charge Trap电荷捕获型，但Intel指出，浮栅型在读取搅扰、数据坚持期上更优异。

三星、东芝、美光、SK海力士、西数等公司的FLC闪存也是箭在弦上，仅仅时刻迟早的事。

FLC闪存必定会被推到市场上，可是终究能不能被承受还不好说，SINA存储网络协会董事会成员J Metz以为FLC闪存在技能上是不可避免的，但他对其市场前景表明置疑，特别是TLC闪存等本钱不断下降的情况下。

依据J Metz的观点，阻止FLC闪存的倒不是FLC自身缺陷，而是厂商假如能在TLC或许QLC闪存上就做到需求的大容量、本钱等目标，那就没必要去推FLC闪存，究竟后者在技能、可靠性等方面的确需求更多投入。